由山东大学牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 025—2023《8英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸》、T/CASAS 026—2023《碳化硅少数载流子寿命测定 微波光电导衰减法》、T/CASAS 032—2023《碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法》于2023年6月19日正式面向产业发布。

T/CASAS 025—2023《8英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸》规定了8英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸，适用于碳化硅切割片、研磨片和抛光片。
【本文件主要起草单位】
山东大学、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、广东天域半导体股份有限公司、绍兴中芯集成电路制造股份有限公司、泰科天润半导体科技（北京）有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
【本文件主要起草人】
崔潆心、杨祥龙、陈秀芳、徐现刚、来玲玲、于国建、冯淦、丁雄杰、潘国卫、秋琪、徐瑞鹏。

T/CASAS 026—2023《碳化硅少数载流子寿命测定 微波光电导衰减法》描述了用微波光电导法测定碳化硅少数载流子寿命的方法，适用于少数载流子寿命为20 ns～200 μs的碳化硅晶片的寿命测定及质量评价。
【本文件主要起草单位】
山东大学、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、广东天域半导体股份有限公司、泰科天润半导体科技（北京）有限公司、杭州海乾半导体有限公司、安徽长飞半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
【本文件主要起草人】
杨祥龙、崔潆心、彭燕、徐现刚、来玲玲、于国建、冯淦、丁雄杰、秋琪、林云昊、赵海明、钮应喜、金向军、徐瑞鹏。

T/CASAS 032—2023《碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法》描述了电感耦合等离子体质谱法测定碳化硅晶片表面金属元素含量的方法。适用于碳化硅单晶抛光片和碳化硅外延片表面痕量金属钠、铝、钾、钙、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、银、钨、金、汞等元素含量的测定，测定范围为10⁸ cm^-2～10¹² cm^-2。适用于100 mm(4吋)～200 mm(8吋)碳化硅原生晶片、碳化硅退火片等无图形碳化硅晶片表面痕量金属元素含量的测定。
【本文件起草单位】
山东大学、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、广东天域半导体股份有限公司、泰科天润半导体科技（北京）有限公司、杭州海乾半导体有限公司、安徽长飞半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
【本文件主要起草人】
崔潆心、陈秀芳、谢雪健、杨祥龙、徐现刚、来玲玲、于国建、冯淦、丁雄杰、秋琪、林云昊、赵海明、钮应喜、金向军、徐瑞鹏。

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